暗电导相关论文
利用近空间升华法在Ar+O2气氛下沉积了CdTe多晶薄膜,并在气相CdCl2氛围下进行了不同温度的后处理,对样品进行了厚度、XRD、SEM、σ......
采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法制备了硼掺杂微晶硅薄膜和微晶硅薄膜太阳电池.研究了乙硼烷含量、p型膜厚度及沉积温度对硼......
利用射频溅射方法制备了非晶态Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜(x=0,0.22,0.50,0.66,1),在80 K~300 K温度范围内,研究了Cd组分x对暗电导的影响......
本文报道对用ＳｉＨ４辉光放电方法和溅射法制备的本征ａ－Ｓｉ薄膜样品，进行高真空退电导变化效应。......
利用射频溅射方法制备了非晶态Hg1-χCdχTe薄膜（χ=0，0．22，0．50，0．66，1），在80K~300K温度范围内，研究了Cd组分χ对暗电导的影响。当温度T〉210......
利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后放入特制的快速热退火炉中进行退火.利用X射线衍射仪（XRD）分析退火后的薄膜晶体结构,用电导率测试......
利用射频磁控溅射方法在宝石衬底上制备了非晶态碲化汞（HgTe）薄膜材料,以He-Ne激光器（hv=1.96 eV,λ=632.8 nm）作为激励光源,在80～300 K......
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研究了衬底温度、反应气体流量等工艺条件对掺杂B（CH3）3（TMB）的P型氢化非晶硅碳（a-SiC：H）窗口材料性能的影响，获得了电导率达到8．97×10......
铌酸锂晶体(LiNbO3,简称LN)是一种非常重要的多功能晶体材料,因为优良的热稳定性、化学稳定性和机械稳定性；突出的声光、电光、非线......
铌酸锂晶体（LiNbO3，简称LN）是一种非常重要的多功能晶体，具有优良的压电、非线性光学、电光和光折变等性能。在1965年苏联的S A Fedulo......
采用拉曼（Raman）散射谱、扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射（XRD）对掺磷硅薄膜的微结构进行了分析,并对掺杂前后薄膜的暗电导进行了测试,结......
采用喇曼散射谱、扫描电子显微镜（SEM）和X-射线衍射（XRD）对掺磷硅薄膜的微结构进行了分析，并对掺杂前后薄膜的暗电导进行了测试，结果表明......
