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本文从改进器件结构、提高器件性能的角度出发，对ＩＧＢＴ自产生以来的各种有代表性的优化设计进行了综述，其中重点介绍了抑制闭锁效应、降低正向压降和开关损耗、提高阻断电压和开关速度的一些技术，对几个关键参数之间的折衷问题也进行了一定程度的讨论。
IGBT的优化设计问题综述
【摘 要】
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本文从改进器件结构、提高器件性能的角度出发，对ＩＧＢＴ自产生以来的各种有代表性的优化设计进行了综述，其中重点介绍了抑制闭锁效应、降低正向压降和开关损耗、提高阻断电压和开关速
【机 构】
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南开大学电子科学系
【出 处】
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半导体杂志
【发表日期】
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1994年02期
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