【摘 要】
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据《电子材料》（日）1994年第1期报道，东芝公司制造出采用0．5μmCMOS微细加工技术的ASIC新产品系列。具体情况如下：1．有实现了3．3V低电压工作的嵌入阵列TC180E系列。2．有工作电压3‘3V
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据《电子材料》（日）1994年第1期报道，东芝公司制造出采用0．5μmCMOS微细加工技术的ASIC新产品系列。具体情况如下：1．有实现了3．3V低电压工作的嵌入阵列TC180E系列。2．有工作电压3‘3V和5V能与LSI连接且能使用的门阵列TC183G系列，标准单元TC183C系列以及嵌入阵列TC183E
According to the “Electronic Materials” (Japan) No. 1 1994 report, Toshiba Corporation to create a 0.5μmCMOS microfabrication ASIC new product line. Specific conditions are as follows: 1. Have realized 3.3V low-voltage work embedded array TC180E series. 2. Have working voltage 3’3V and 5V can connect with LSI and can use the gate array TC183G series, standard unit TC183C series and embedded array TC183E
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