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用光电发射的方法研究了碱金属夹层对Ｇｅ和Ⅲ－Ⅴ族半导体异质结形成和能带偏移的影响。实验表明，价带偏移与夹层厚度有关。０．５ＭＬＣｓ和１ＭＬＮａ枳ｅ／ＩｎＰ（１００）及Ｇｅ／ＧａＡｓ（１００）的ΔＥｖ的值分别增加０．２０ｅＶ和０．１８ｅＶ。碱金属与衬底相互作用而引起的界面偶极矩的改变是导致ΔＥＶ改变的主要原因。