能带偏移相关论文
银作为催化剂被广泛地应用在工业上乙烯和甲醇的氧化。许多人对银催化剂进行了广泛的研究。而负载在衬底上的银纳米颗粒催化剂，由于......
利用紫外光电子能谱（ＵＰＳ）测量了几种有机材料和ＩＴＯ的能带偏移。最大的能带偏移发生在导带或未被占据的能级。用真空能级作为基准可以解释器......
以GaN和ZnO为代表的第三代半导体材料，属于直接带隙宽禁带半导体。GaN、ZnO具有相同的晶体结构，由于其优异的光学电学特性，被广泛的应......
‘半导体的绝对形变势是描述材料某一能级位置(比如价带顶和导带底) 相对于体积形变的关系，这是描述半导体中电声相互作用的一个重......
用光电发射的方法研究了碱金属夹层对Ｇｅ和Ⅲ－Ⅴ族半导体异质结形成和能带偏移的影响。实验表明，价带偏移与夹层厚度有关。０．５ＭＬＣｓ和１ＭＬＮａ枳ｅ／ＩｎＰ（１００）及Ｇｅ／ＧａＡｓ（１００）的ΔＥｖ的......
SiGeC三元合金是一种新型的Ⅳ-Ⅳ族半导体材料,其中的碳可以为SiGe合金提供应变补偿,调节能带结构,提高热稳定性,从而有利于高性能......
本文分析了一个单量子阱的随频率变化的Ｇ－Ｖ特性，提出用电导法测量量子阱的能带偏 。通过对一个Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单量子阱的实验Ｇ－Ｖ曲线的分析，验证了这一方......
用自洽的半经验紧束缚方法，定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ－ＧａＰ（１１０）异质结形成过程中的能带偏移变化，能带偏移在第１层Ｓｉ覆盖在ＧａＰ（１１０）衬底上后即......
用自洽的半经验紧束缚方法，定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ－ＧａＰ（１１０）异质结，得到了主要结果是：ＧａＰ和Ｓｉ表面有相似的电子特性：由此构成的界面只......
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研究了用分子束外延方法生长在GaAs(100)衬底上的In_xGa_(1-x)As/GaAs(x=0.1)应变多量子阱样品,观察了其光荧光谱和光调制反射谱的......
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ZnO作为一种直接禁带半导体材料,具有3.37eV的禁带宽度以及60meV的激子束缚能,在短波长光电器件中具有非常大的应用潜力。ZnO基光......
太阳能被认为是最经济和环保的可再生能源,基于光伏效应的太阳能电池由于能够直接将光照转换成电能,因而受到了广泛的关注。薄膜太......
近年来,随着经济的发展导致环境的问题越来越严重,对于清洁能源的需求日益迫切。太阳能,作为一种理想的清洁能源,通过直接将太阳光......
随着化石能源的枯竭以及日益严重的环境污染问题,寻找一种可持续发展的清洁能源迫在眉睫。太阳能作为取之不尽用之不竭的绿色可再......
随着化石能源的枯竭以及环境污染的日益严重,寻找一种可持续发展的清洁能源迫在眉睫。太阳能作为一种取之不尽用之不竭的绿色能源,......
