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通过对PSN-PZT系统PSN的含量和Zr／Ti比值的调整，使系统点处于准同型相界附近时性能可以得到优化，这一点从微观结构分析得到验证。通过引入Sr^2＋、Nb^5＋和Mn^2＋等离子，对系统进行A位和B位掺杂取代来提高其性能获得了性能优异的压电陶瓷材料，其d33·g33最大值可达16030×10^-15cVm／N^2，适于用作收发兼用的换能器材料。