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本文利用高分辨电子能量损失谱(HREELS),俄歇电子能谱(AES)和低能电子衍射(LEED)详细研究了O_2在FeSi(100)表面上的初始吸附阶段(0-10L),以及温度(RL-550℃)对吸附的影响.此外,通过对实验结果的分析,给出一种室温下O原子在FeSi(100)表面上吸附的模型.
O2在FeSi（100）表面的初始吸附研究
【摘 要】
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本文利用高分辨电子能量损失谱(HREELS),俄歇电子能谱(AES)和低能电子衍射(LEED)详细研究了O_2在FeSi(100)表面上的初始吸附阶段(0-10L),以及温度(RL-550℃)对吸附的影响.此
【机 构】
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中国科学院半导体研究所表面物理国家实验室,中国科学院半导体研究所表面物理国家实验室北京100083,北京100083
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1992年3期
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