【摘 要】
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本文叔述了一种简单方便的用于测量MOS界面态密度的电容瞬态技术。给出了利用该技术对N型硅-二氧化硅界面态总密度和界面态分布的测量结果。该技术适用于工厂中作一般工艺监
【机 构】
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北京大学物理系,北京大学物理系,北京大学物理系
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本文叔述了一种简单方便的用于测量MOS界面态密度的电容瞬态技术。给出了利用该技术对N型硅-二氧化硅界面态总密度和界面态分布的测量结果。该技术适用于工厂中作一般工艺监测。
This article outlines a simple, easy-to-use capacitive transient technique for measuring the density of states in a MOS interface. The measurement results of N-type silicon-silicon dioxide interface total density and interface state distribution are given. This technology is suitable for general process monitoring in the factory.
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