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对无序和有序ＧａＩｎＰ２样品分别作了变温和变激发功率密度光致发光谱的测量，无序样品表现为与激发功率密度无关的单谱峰结构，在不同温度区有不同的激活能，有序样品则表现为双峰结构，其中高端发光峰强度随温度升高先增强而后热猝灭，根据样品有序度及取向超晶格模型解释了实验现象。
无序和有序GaInP2的光致发光谱
【摘 要】
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对无序和有序ＧａＩｎＰ２样品分别作了变温和变激发功率密度光致发光谱的测量，无序样品表现为与激发功率密度无关的单谱峰结构，在不同温度区有不同的激活能，有序样品则表现为双峰结构，其中高
【机 构】
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厦门大学物理学系
【出 处】
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厦门大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1999年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金,中科院上海技术物理所开放课题
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