Intervalley Scattering of Electrons in n-Si at T = 77 &#247;450 K

Intervalley Scattering of Electrons in n-Si at T = 77 ÷450 K

来源 :凝固态物理国际期刊(英文) | 被引量 : 0次 | 上传用户：crr0808

【摘要】

：

The change in electron mobility of n-Si with increasing the temperature which may be due to the inclusion of gLOphonon energy of 720 K, is presented. Under orie

【作者】

：

Valerii Ermakov Volodymyr Kolo

【机构】

：

CaspianStateUniversity,V.LashkaryovInstituteforSemiconductorPhysicsNASofUkraine

【出处】

：

凝固态物理国际期刊(英文)

【发表日期】

：

2013年1期

【关键词】

：

SILICON f-Transitions g-Transitions Tensoresistivity Effect UNIAXIAL STRAIN Sili

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The change in electron mobility of n-Si with increasing the temperature which may be due to the inclusion of gLOphonon energy of 720 K, is presented. Under orientation of the uniaxial pressure X//[110]//J, g-transitions are attached in the directions [100

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