【摘 要】
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提出了一种通过在电源线与地线之间加入外部电容以吸收ESD脉冲的新型集成电路ESD保护方法。分析了这种方法在提高产品ESD防护性能方面的可行性，并用TLP设备测量出了-0．1μF电容
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提出了一种通过在电源线与地线之间加入外部电容以吸收ESD脉冲的新型集成电路ESD保护方法。分析了这种方法在提高产品ESD防护性能方面的可行性，并用TLP设备测量出了-0．1μF电容在吸收4ATLPESD电流脉冲时电容两端电压随时间的变化曲线以及不同电容值电容吸收4ATLPESD电流脉冲后的电压随电容变化曲线，理论分析及测试结果均表明这种ESD防护方法能在集成电路承受6000VHBMESD脉冲时将VDD与GND之间的电压降钳位在0．5V以下。通过将此ESD防护方法应用在SOI微处理器产品和SOI静态随机存储
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