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双面抛光已成为硅晶片的主要后续加工方法，但由于需要严格的加工条件，很难获得理想的超光滑表面。本文设计了新的硅片双面抛光加工工艺路线，并在新研制的双面抛光机上对硅晶片进行抛光加工，通过试验，研究了不同加工参数对硅晶片表面粗糙度和材料去除率的影响。采用扫描探针显微镜和激光数字波面干涉仪分别对加工后的硅晶片进行测量，试验结果表明：在优化试验条件下硅晶片可以获得表面粗糙度0．533nm的超光滑表面。