一种高速低耗全摆幅BiCMOS反相器

来源 :徐州建筑职业技术学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mnbvcxzxzh

【摘要】

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通过分析影响双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)反相器全摆幅输出和高速度的诸因素,设计了具有高速、低功耗、全摆幅输出的BiCMOS反相器,提出了采用先进的0.8μm BiCMOS工艺

【作者】

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董素玲成立

【机构】

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徐州建筑职业技术学院,江苏大学

【出处】

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徐州建筑职业技术学院学报

【发表日期】

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2003年4期

【关键词】

：

BICMOS 反相器全摆幅双极互补金属氧化物半导体超大规模集成电路 BiCMOS device inverter VLSI ULSI

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通过分析影响双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)反相器全摆幅输出和高速度的诸因素,设计了具有高速、低功耗、全摆幅输出的BiCMOS反相器,提出了采用先进的0.8μm BiCMOS工艺制作反相器的一些技术要点.该反相器可以工作在1.5V,信号传输延迟很小,速度高于同类CMOS电路10倍以上,因而特别适应便携式电子设备和其他VLSI和ULSI等场合.

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