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采用高质量半绝缘碳化硅（SIC）单晶材料制作了超快高耐压大功率SiC光电导开关。应用氟化氪准分子脉冲激光器作为激发光源，得到了脉宽为40ns，上升沿为9．6ns的超快响应的电脉冲，开关的上升沿存在两个不同阶段。测试开关两端电压从1kV到10kV时开关导通的电压波形表明，开关的导通电阻随电压的增加不发生明显变化，开关在导通态时导通电阻在12Ω左右。采用92Ω精密电阻作为负载，计算得到开关两端外加11kV电压时通过其电流峰值高达159A，此时峰值功率达到1.4MW，在此范围内未出现载流子饱和现象。