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以四溴化碳（CBr4）作为碳掺杂源．采用气态源分子束外延（GSMBE）技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂P型GaAsSb材料．通过改变CBrt压力，研究了掺杂浓度在（1-20）×10^19cm^-3范围内的掺杂特性，得到的最大掺杂浓度为2．025×10^20cm^-3，相应的空穴迁移率为20.4cm^2／（V·s）．研究了不同生长温度对掺碳GaAsSb外延层组分、晶格质量和表面粗糙度的影响，结果表明480℃是生长优良晶格质量的最优温度．