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利用原子力显微镜(AFM)和变角X射线光电子谱(VAXPS)技术研究了Au-Ag/SiO2体系在直流电场作用下,Au,Ag电迁移的特点及所引起的薄膜结构的变化,观察到较低温度下Au,Ag聚集状态的显著变化,发现电迁移过程中Au-Ag薄膜与SiO2基底之间存在界面化学反应,膜层中Au,Ag,Si等元素的化学状态发生了相应的变化,这些结构表明SiO2表面上Au-Ag复合薄膜电迁移不只是一个水平方向的扩