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通过高真空直流溅射法在硅基地上沉积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的具有人工反铁磁（SAF）被钉扎层结构的自旋阀薄膜,研究了SAF结构中的CoFe层厚度对自旋阀的巨磁电阻变化率和交换场的影响。结果表明：与无SAF结构的自旋阀相比较,SAF结构自旋阀的交换场可以达到350Oe。进一步讨论了SAF结构中CoFe层厚对自旋阀薄膜交换场和磁阻率的调制机理。