半导体物理的通识教研初探 ——异质外延GaN晶体中缺陷的艺术形象

来源 :现代职业教育 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yangtianlin888

【摘要】

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从异质外延GaN薄膜中缺陷的形成机理出发,通过湿法腐蚀GaN和扫描电子显微镜(SEM)观察的方法,主要从美学中的形式美、意象美和功能美三个方面,针对异质外延生长的GaN薄膜中缺

【作者】

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曹路明高志远崔碧峰

【机构】

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北京工业大学信息学部微电子学院,北京,100124

【出处】

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现代职业教育

【发表日期】

：

2019年34期

【关键词】

：

通识半导体美学物理

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从异质外延GaN薄膜中缺陷的形成机理出发,通过湿法腐蚀GaN和扫描电子显微镜(SEM)观察的方法,主要从美学中的形式美、意象美和功能美三个方面,针对异质外延生长的GaN薄膜中缺陷的艺术形象进行了分析,其目的是有意识地提炼学科中的科学美,唤起学生探索的兴趣和积极性,为自然科学通识教育课程内容设置提供一些具体的、可操作的构想.

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