化合物半导体GaAs CdTe核辐射探测器

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叙述了半绝缘砷化镓体单晶表面势垒探测器和碲化镉单晶表面势垒探测器的制备工艺、特性以及它们对低能γ射线~(125)I,~(241)Am,~(57)Co在室温下工作时的能谱响应。着重讨论了欧姆接触所引起的正向电阻的大小对探测器性能的影响。讨论了制备工艺中表面纯化和老 The preparation process and characteristics of semi-insulating GaAs single-crystal surface barrier detector and CdTe single-crystal surface barrier detector were described, and their effects on low energy γ-ray ~ (125) I, ~ (241) Am, ~ (57) The spectral response of Co when operating at room temperature. The effect of ohmic contact resistance on the performance of the detector is mainly discussed. The preparation of surface purification and aging was discussed
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