【摘 要】
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为提高晶体对波长为0.1~20 nm的X射线的衍射效率，通过特殊工艺对特定晶体表面进行位错处理。将云母、α-石英和LiF晶体劈成80 mm×10 mm的晶体薄片，其中LiF晶体厚度研磨到1 mm，其余三种晶体厚度为0.2 mm。将LiF晶体加热到400 ℃，然后用椭圆型折弯机进行多次弯曲，自然冷却降到室温，使晶格发生位错现象。在波长为0.154 nm的Cu靶X射线衍射仪上进行衍射试验，经晶体后利用成像板或X射线CCD获得衍射谱线，其中Mica球弯晶获得多级衍射谱线，经过表面处理的LiF晶体获取的X射线光子
【机 构】
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中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室，四川绵阳621900重庆工商大学重庆市发展信息管理工程技术研究中心，重庆400067重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室，重庆4000
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为提高晶体对波长为0.1~20 nm的X射线的衍射效率，通过特殊工艺对特定晶体表面进行位错处理。将云母、α-石英和LiF晶体劈成80 mm×10 mm的晶体薄片，其中LiF晶体厚度研磨到1 mm，其余三种晶体厚度为0.2 mm。将LiF晶体加热到400 ℃，然后用椭圆型折弯机进行多次弯曲，自然冷却降到室温，使晶格发生位错现象。在波长为0.154 nm的Cu靶X射线衍射仪上进行衍射试验，经晶体后利用成像板或X射线CCD获得衍射谱线，其中Mica球弯晶获得多级衍射谱线，经过表面处理的LiF晶体获取的X射线光子数比未处理的高2倍。结果表明晶体表面经过位错处理后提高了衍射效率，更适合X射线诊断研究。
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We present comprehensive modeling of a SiGeSn multi-quantum well laser that has been previously experimentally shown to feature an order of magnitude reduction in the optical pump threshold compared to bulk lasers. We combine experimental material data ob
A highly efficient cascaded P-doped Raman fiber laser (RFL) pumped by a 1064-nm continuous wave (CW) Nd:YVO3 solid-state laser is reported. 1.15-W CW output power at 1484 nm is obtained while the input pump power is 4 W, corresponding to the power convers
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