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在低温下（10－300K）对多孔硅（Al/多孔硅／单晶硅结构）的I－U特性进行了测量，得到了I－U特性随温度的变化曲线，结果表明，低温下多孔硅的电阻率远大于单晶硅，当温度变化时，电阻率的变化不是单调的，其原因一是电流的主要输运机制随温度的降低发生变化，二是多孔硅中的缺陷态俘获载流子的能力随温度降低而变弱。