用于测量温度的红外探测元件

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美国专利US6909093(2005年6月21日授权)本发明提供一种能够精确测量温度的低成本热电堆红外探测元件。该红外探测元件(1)采用一种氮化硅膜作为第一结构层(22)。与氧化硅不一样,第一结构层(22)在拉伸方向具有内部应力,因此它可以防止弯曲现 U.S. Patent No. 6,909,093 (issued June 21, 2005) The present invention provides a low cost thermopile infrared detection element capable of accurate temperature measurement. The infrared detection element (1) uses a silicon nitride film as the first structure layer (22). Unlike the silicon oxide, the first structural layer (22) has an internal stress in the direction of stretching so it prevents bending
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