二氧化硅和氮化硅薄膜的等离子汽相淀积与应用

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开发了一种全新的等离子增强化学汽相淀积氧化硅和氮化硅薄膜制作技术,并首次将其成功地用于半导体功率器件芯片的钝化工艺,提高和保证了器件的性能和可靠性。 Developed a new plasma enhanced chemical vapor deposition of silicon oxide and silicon nitride film production technology, and for the first time successfully used in the semiconductor power device chip passivation process to improve and ensure the device performance and reliability .
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