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用纯数值技术计算了５０￣１５０Ｋ下磷，硼非补偿和补偿时在硅中的电离率，考虑了Ｆｅｒ－ｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计，禁带变窄效应，冻析效应以及温度对各种物理参数的影响，结果发现比简化模型有较高的数值精度，而且可插入到半导体器件模拟软件ＰＩＳＣＥＳ中。
低温区杂质电离率的计算
【摘 要】
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用纯数值技术计算了５０￣１５０Ｋ下磷，硼非补偿和补偿时在硅中的电离率，考虑了Ｆｅｒ－ｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计，禁带变窄效应，冻析效应以及温度对各种物理参数的影响，结果发现比简化模型有较高的数值精度，而且可插入到半导
【机 构】
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东南大学微电子中心
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1996年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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