【摘 要】
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为了用简单的方法得到GaN薄膜，以射频磁控溅射方法将Ga2O3薄膜沉积到Si（111）衬底上的SiC中间层上，通过其同NH3的自组装反应形成了GaN薄膜。同样，利用磁控溅射方法把SiC层沉积到Si
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为了用简单的方法得到GaN薄膜，以射频磁控溅射方法将Ga2O3薄膜沉积到Si（111）衬底上的SiC中间层上，通过其同NH3的自组装反应形成了GaN薄膜。同样，利用磁控溅射方法把SiC层沉积到Si衬底。其目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力。为了比较中间层的作用，对按照两种方案（使用中间层和不使用中间层）实验样品进行了测试和比较。实验结果证实了SiC中间层提高了GaN薄膜的质量。
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