论文部分内容阅读
采用热丝化学气相沉积法（HWCVD），在很近的热丝与衬底距离（5mm）下沉积多晶硅薄膜，研究了热丝温度、SiH4浓度对多晶硅晶粒取向和晶粒尺寸的影响规律。结果表明：当热丝温度在1400oC～1800oC变化，衬底温度225℃-320℃时，沉积出多晶硅薄膜的择优取向随温度升高的变化规律是（111）→（220）→（111）；在低的灯丝温度（-1450℃）和低的衬底温度（235℃）条件下，获得了晶粒横向尺寸大于1μm、垂直尺寸大于5μm的均匀致密的多晶硅薄膜。