【摘 要】
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为了了解各厂家晶体管-晶体管逻辑(TTL)74LS00与非门芯片输入特性,以利于电子设计应用和大学教学的目的,采用由"二极管(D)串联电阻(R)系统"的总伏安特性提取内部参数法,结合
【基金项目】
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国家教育部留学回国人员科研启动基金(第48批)。
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为了了解各厂家晶体管-晶体管逻辑(TTL)74LS00与非门芯片输入特性,以利于电子设计应用和大学教学的目的,采用由"二极管(D)串联电阻(R)系统"的总伏安特性提取内部参数法,结合实测12家74LS00与非门芯片的电源(VCC)与输入端A的伏安特性、正常输入端伏安特性和电压传输等特性,确定了不同芯片的输入钳位二极管(D1)的属性:8家的D1确实为肖特基势垒二极管,而4家的D1为典型的硅基二极管,但采用了硅基三极管倒置的结构,以提高允许的最低输入电压范围.同时,比较自洽而准确地导出了各上拉电阻(R1)
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