论文部分内容阅读
采用低压化学气相沉积法（LPCVD），分别在n-Si和SiO2衬底上制备Si1-xGex薄膜。Ge的组分比由俄歇电子谱（AES）测定。对n-Si和SiO2衬底上的Si1-xGex分别进行热扩散和热退火处理，以考察热扩散和退火条件对薄膜物理及电学特性的影响。薄膜的物相由X射线衍射（XRD）确定。其薄层电阻、载流子迁移率及浓度分别由四探针法和霍尔效应法测定。基于XRD图谱，根据Scherer公式，估算出平均晶粒大小。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近似的线性关系，从而得出LPCVD-Sil-xGex薄膜