【摘 要】
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近年来硅基光电子材料和器件受到高度的重视。利用外延生长和键合技术成功研制出硅基应变赝衬底、GexSi1-x/Si量子阱、高密度锗量子点、硅基InGaAsP/Si异质结,这些进展为硅基
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
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近年来硅基光电子材料和器件受到高度的重视。利用外延生长和键合技术成功研制出硅基应变赝衬底、GexSi1-x/Si量子阱、高密度锗量子点、硅基InGaAsP/Si异质结,这些进展为硅基光电子器件提供了坚实的材料基础。同CMOS工艺相结合,实现了硅量子点1.17μm的受激发射,研制出硅基Raman激光器、1.55μm混合型激光器、高灵敏度的Si/Ge探测器、谐振腔增强型的SiGe光电二极管、调制频率30GHz的SOICMOS光学调制器和16×16的SOI光开关阵列等。硅光电子学将在光通信、光计算等领域获得重要应用。本文综述了国内外硅基光电子材料和器件的进展、我们的研究结果和硅基光电子学的发展趋势。
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