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根据理论和试验分析，将机械化学抛光（CMP）过程分成两个阶段：化学作用主导阶段和机械作用主导阶段，并从机械作用角度导出CMP过程两个阶段芯片表面材料去除率的数学模型，模型全面地考虑了抛光盘特性参数（弹性模量、硬度、表面粗糙度峰的尺寸分布）、CMP工作参数（压力和抛光速度）、抛光液中磨粒的机械作用和氧化剂种类、氧化剂浓度等化学作用的影响。然后根据这两个阶段的平衡点导出定量描述芯片表面氧化膜生成速度的数学模型。详细分析机械作用因素（磨粒的浓度、磨粒的粒度分布特性）、化学作用因素（抛光液中氧化剂种类、浓度）以及