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在经HP酸处理后的Si(100)衬底上作了低温(900℃)外延。用常规的低压化学汽相淀积(LPCVD)系统作Si的淀积。经HF酸浸泡之后,外延层的堆垛层错密度(SFD)随去离子水漂洗时间的延续而猛烈增加。对HF酸处理后的氧,氟以及碳杂质用X射线光电子光谱技术进行了测量。残余碳的化学键形态与HF酸的浓度相关。在5％的HF酸处理(相当于优化外延条件)后,大多以C-O键形态存在。