采用低压化学气相淀积(LPCVD)方法在偏向晶向8°n型4H-SiC(0001)Si面衬底上水平热壁反应室进行同质外延生长。利用原子力显微镜(AFM)，观察外延晶片表面的中心、边缘以及边
采用Trim软件和C++程序，仿真研究了n型4H-SiC质子辐照的位移效应，并建立了简单准确的解析模型。仿真结果表明，经过大剂量的高能质子辐照后，4H-SiC材料都出现载流子去除效应，迁
美国的威尔伯·莱特和奥维尔·莱特兄弟俩是人类航空史上勇敢的开拓者,他们于1903年12月17日成功地驾驶有动力的飞机,飞上了蓝天。 飞行后不久,萊特哥俩儿前往欧洲旅行。在法国的一次欢迎酒会上,主人再三邀请哥哥演讲。盛情难却,威尔伯只好开口了。他说:“据我们所知,鸟类中会说话的只有鹦鹉,而鹦鹉是飞不高的!” 这一句话的演讲,博得了与会者的交口称赞。 摘自《思维与智慧》2009.8
以水玻璃为主要原料、采用多次生长法，利用等液面、低zeta电位生长、高电位陈化等控制过程，生产出具有不同粒径、稳定的碱性单分散硅溶胶产品，并实现120nm大粒径硅溶胶生长
阐述了Hg肖特基C-V技术的测量原理及其在特殊外延结构中的应用，针对其它外延层电阻率或浓度测量方法进行了比较，提出了应用Hg肖特基C-V技术测量外延参数的注意事项和参数设
Over the past two years,6 patients had iliac vein stenosis caused by radiation and pelvic lymphocele secondary to gynecologic malignancy.Patients had symptomati
目的 探讨导致老年慢性心力衰竭(CHF)患者反复入院的相关因素.方法 收集老年CHF患者171例,收集患者经治疗出院后2年内的诊疗资料,根据是否因心力衰竭(以下简称心衰)反复入院
某些特种半导体器件，采用重掺As衬底，要求的外延层厚度很薄，浓度较低，外延层和衬底之间的过渡区宽度要求尽可能的窄。本文主要论述了在重掺As衬底上生长-薄层N型外延，通过降低
随着MOS器件特征尺寸的不断减小，传统上广泛使用的氧化硅介质材料已经不能满足器件性能发展的需要，氧化铝以其介电常数大、绝缘性好、稳定性高等优点被广泛关注。本文建立
通过试验比较P型硅外延片的Hg探针C-V法测量电阻率中，直接测试和HF处理后测试电阻率值的差别，得出了实际应用HF处理P外延片的可行性及条件。