【摘 要】
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作为一种新型超宽禁带半导体闪烁材料,β-Ga2O3具有以下显著特点:室温下可获得几纳秒的快发光成分;理论光产额可达40800 MeV-1;斯托克斯位移大;自吸收弱;晶体不易潮解;可以采用熔体法生长大尺寸单晶。本文详细介绍了β-Ga2O3闪烁晶体的基本性质、制备方法和闪烁性能,着重分析了其作为新型半导体闪烁体的独特优势及未来需要解决的关键科学问题和技术难点。
【机 构】
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同济大学物理科学与工程学院,西北核技术研究所
【基金项目】
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装备预研基金重点资助项目(6140922010601),国家自然科学基金资助项目(11975168),强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室开放课题专项经费资助项目(SKLIPR2022)。
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作为一种新型超宽禁带半导体闪烁材料,β-Ga2O3具有以下显著特点:室温下可获得几纳秒的快发光成分;理论光产额可达40800 MeV-1;斯托克斯位移大;自吸收弱;晶体不易潮解;可以采用熔体法生长大尺寸单晶。本文详细介绍了β-Ga2O3闪烁晶体的基本性质、制备方法和闪烁性能,着重分析了其作为新型半导体闪烁体的独特优势及未来需要解决的关键科学问题和技术难点。
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