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以阴极电弧法,分别于硅基材与铜纳米线（CuNWs）/硅基材（其中铜纳米线系阳极氧化铝（AAO）模板技术成长于硅基材上）沉积非晶碳膜。分别以扫描电子显微镜（SEM）、原子力电子显微镜（AFM）和X光电子光谱仪（XPS）表征了非晶碳膜/铜纳米线/硅基材与非晶碳膜/硅基材两者之表面形貌、粗糙度、结构及键结等物理特性。并比较两者之电子场发射特性。研究结果显示：两者都拥有低起始电场及高电流密度,其中非晶碳膜/铜纳米线/硅基材的场发射起始电压为3.75V/μm优于非晶碳膜/硅基材的15V/μm,因此非晶碳膜/铜纳米线