【摘 要】
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以甲基三氯硅烷为原料,采用催化化学气相沉积(CCVD)工艺在短切碳纤维(Cfd)表面制备了纳米SiC纤维(nano SiCf)改性层,并采用凝胶注模-无压烧结工艺制备了nano SiCf-Cfd/Si3N4
【机 构】
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中南大学粉末冶金国家重点实验室,湖南工业大学冶金与材料工程学院,
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以甲基三氯硅烷为原料,采用催化化学气相沉积(CCVD)工艺在短切碳纤维(Cfd)表面制备了纳米SiC纤维(nano SiCf)改性层,并采用凝胶注模-无压烧结工艺制备了nano SiCf-Cfd/Si3N4、Cfd/Si3N4复合材料。使用矢量网络分析仪研究了nano SiCf-Cfd、Cfd对Si3N4陶瓷在X波段(8.2~12.4GHz)的介电响应和吸波性能的影响。结果表明:nano SiCf-Cfd/Si3N4和Cfd/Si3N4复合材料的复介电常数和介电损耗角正切值(tanδ)均随纤维添加量增加而增大;相同纤维含量时,nano SiCf改性Cfd/Si3N4复合材料的介电常数实部比未改性的复合材料有所降低,但损耗角正切升高。反射损耗结果表明:nano SiCf-Cfd/Si3N4复合材料拥有更优的电磁波吸收效果。nano SiCf-Cfd含量2wt%、d=2.5mm,在f=10.78GHz时出现最大吸收峰-14.95dB,反射损耗优于-5dB的波段频宽达3.5GHz。nano SiCf界面改性能有效提高Cfd/Si3N4复合材料的吸波性能。
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