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本文采用电感耦合等离子体发射光谱对硅晶材料中６种金属杂质的分析进行了研究。研究了基体硅对分析元素的干扰影响及校正。采用压力溶样器制备样品，并在低温进行杂质富集，采用ＩＣＰ－ＡＥＳ对杂质进行了分析，回收率在９０％～１０５％之间。
ICP-AES测定硅单晶中杂质铬、铜、锰、铝、镉、钼
【摘 要】
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本文采用电感耦合等离子体发射光谱对硅晶材料中６种金属杂质的分析进行了研究。研究了基体硅对分析元素的干扰影响及校正。采用压力溶样器制备样品，并在低温进行杂质富集，采用ＩＣＰ－ＡＥＳ对
【机 构】
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信息产业部电子第46研究所
【出 处】
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现代仪器
【发表日期】
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2000年6期
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