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纳电子器件的少电子输运性质及应用
纳电子器件的少电子输运性质及应用
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:l309553042
【摘 要】
:
在介绍纳电子器件基本输运理论基础上,着重分析量子点结构器件模型,讨论了量子点上能级分立和电子填充的各种情况,以及电子自旋的影响,特别强调了纳米限制系统中局域态电子和非局
【作 者】
:
陈杰智
施毅
濮林
刘明
郑有炓
【机 构】
:
南京大学物理系,中国科学院微电子研究所纳米技术与新器件集成技术实验室
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
2006年4期
【关键词】
:
纳电子器件
少电子输运
库仑阻塞
近藤效应
nanoelectronic device few-electron transport coulomb bloc
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在介绍纳电子器件基本输运理论基础上,着重分析量子点结构器件模型,讨论了量子点上能级分立和电子填充的各种情况,以及电子自旋的影响,特别强调了纳米限制系统中局域态电子和非局域态电子相互作用特征。综述了目前纳电子器件的研究进展及其应用。
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