【摘 要】
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对氮化镓(GaN)生长的化学反应过程进行了全面的阐述。从两条基本的反应路径出发,对各反应的机理进行了剖析,并结合近期的研究发现,提出了MOCVD生长GaN的核心反应模型。该化学
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,
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对氮化镓(GaN)生长的化学反应过程进行了全面的阐述。从两条基本的反应路径出发,对各反应的机理进行了剖析,并结合近期的研究发现,提出了MOCVD生长GaN的核心反应模型。该化学反应动力学模型综合考虑了有效气相反应和表面反应,适用范围广且计算成本较小,为预测GaN薄膜的生长速率提供了一种精简的计算方法。
The chemical reactions of GaN are comprehensively described. Starting from the two basic reaction paths, the mechanism of each reaction was analyzed. Combined with the recent research findings, the core reaction model of GaN grown by MOCVD was proposed. The chemical kinetic model comprehensively considers the effective gas phase reaction and the surface reaction, has a wide range of application and low computational cost, and provides a streamlined calculation method for predicting the growth rate of the GaN film.
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