【摘 要】
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报道了ｎ型Ｈｇ０．８Ｃｄ０．２Ｔｅ光电导体的变温材料参数与性能参数的对照关系，并讨论了材料的锭条参数与小芯片霍耳参数的差异，得到一组光电导的实验优化数据．实测小芯片载流子浓度ｎ≈１．８×１０１５ｃｍ－３，这与高性能器件
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报道了ｎ型Ｈｇ０．８Ｃｄ０．２Ｔｅ光电导体的变温材料参数与性能参数的对照关系，并讨论了材料的锭条参数与小芯片霍耳参数的差异，得到一组光电导的实验优化数据．实测小芯片载流子浓度ｎ≈１．８×１０１５ｃｍ－３，这与高性能器件实测值的倒推数值一致，这被解释为长波红外高背景辐射的结果
The relationship between temperature parameters and performance parameters of n-type Hg0.8Cd0.2Te photoconductor was reported. The difference between the parameters of the ingot of the material and those of the chiplets was discussed. A set of experimental data of photoconductivity was obtained. The measured chiplet carrier concentration n≈1.8 × 1015cm-3, which is consistent with the value of the inverse of the measured value of high-performance devices, which is interpreted as the result of long-wave infrared high background radiation
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