【摘 要】
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研制出了16×16像元的单片热释电红外图像传感器.该图像传感器的特征是:利用电子溅射法制作PVDF热释电膜,利用埋沟MOSFET制作低噪声探测器,利用微机械加工制作由四条横梁
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研制出了16×16像元的单片热释电红外图像传感器.该图像传感器的特征是:利用电子溅射法制作PVDF热释电膜,利用埋沟MOSFET制作低噪声探测器,利用微机械加工制作由四条横梁支撑的薄膜结构的热绝缘结构.探测部大小为75 μm见方、调制频率为55 Hz的图像传感器,其电压灵敏度达到6600 V/W,比探测率达1.6×107cmHz1/2·W-1,成功地获得了黑体炉开口部的热图像.虽然在灵敏度误差、噪声、偏置电压方面还存在着问题,但在实现单片热释电红外图像传感器方面已看到了前景.
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