【摘 要】
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用磁控溅射淀积掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅薄膜 ,室温下测量这四种薄膜的光致发光 (PL)谱 ,观察到这四种薄膜都具有 1 5 4μm的峰位 ,其强度与
【机 构】
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北京大学物理,泉州师范学院物理系,北京大学物理系,信息产业部电子第十三研究所
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用磁控溅射淀积掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅薄膜 ,室温下测量这四种薄膜的光致发光 (PL)谱 ,观察到这四种薄膜都具有 1 5 4μm的峰位 ,其强度与薄膜的退火温度有关。为了确定 1 5 4μmPL的最佳退火温度 ,这些薄膜都分别在 6 0 0 ,70 0 ,80 0 ,90 0 ,10 0 0 ,110 0℃的温度下同时退火 ,发现两种富硅薄膜的最佳退火温度是 80 0℃ ,不富硅的两种薄膜的最佳退火温度是 90 0℃。样品的 1 5 4μmPL最强 ,且 80 0℃退火的掺Er富硅氧化硅薄膜的 1 5 4μm峰强度是最强的 ,比不富硅的强了约 2 0倍 ,还观察到这四种薄膜都具有 1 38μm的PL带 ,且掺Er富硅氧化硅和掺Er富硅氮化硅这两种薄膜的PL在强度上 1 38μm峰与 1 5 4μm峰有一定的关系。
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