富硅氮化硅相关论文
采用时域有限差分(FDTD)方法,对Au纳米颗粒的尺寸和形貌对于其光学特性的影响进行了系统的理论研究。通过采用等离子体增强化学气......
进入21世纪以来,世界经济的发展速度越来越快。环境保护和清洁能源的探索和研发是目前世界范围内的重要问题。作为一种绿色无污染......
用磁控溅射淀积掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅薄膜 ,室温下测量这四种薄膜的光致发光 (PL)谱 ,观察到......
采用等离子体化学气相沉积法（PECVD）制备了三种不同化学计量比的富Si的SiN薄膜，并对其光致发光及电致发光性能进行了研究。研究发现，随......
采用反应磁控溅射技术沉积了掺Er的富硅氮化硅（SRN：Er）薄膜和SRN：Er/Ni3个周期的超晶格,两种薄膜都在1100℃进行退火实验。SRN：Er薄膜的......
用磁控溅射淀积掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅薄膜,室温下测量这四种薄膜的光致发光(PL)谱,观察到这四......
采用PECVD方法制备富硅氮化硅（SiNx）薄膜，并研究了N2O等离子体处理对SiNx薄膜光致发光（PL）及电致发光（EL）的影响。研究结果表明，N2O等离子......
随着建立在硅材料基础上的大规模集成电路的不断发展,过高的互连和集成度带来了信号延迟和器件过热的问题,给以大规模集成电路为代......
随着CMOS工艺特征尺寸的不断减小,集成电路的集成度将越来越高,芯片间信号传输所使用的金属互联将成为器件性能提升的瓶颈。硅基光......
随着半导体芯片集成度的进一步提高,以电子为信息载体的金属互联存在的RC延迟及热耗散成为制约超大规模集成电路发展的瓶颈。采用......
富硅氮化硅和游离态（free-standing）硅纳晶材料分别在电致硅基光源和生物标签方面有着重要应用价值，但是目前在材料制备、测试表征、......
