富硅氧化硅相关论文
我们比较研究了用化学气相沉积和磁控溅射制备的铕掺杂富硅氧化硅(Eu-SRSO)薄膜的发光性质。发现采用化学气相沉积方法制备的Eu-SR......
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备含有纳米晶硅的S iO2(NCSO)和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅(a-S iOx∶H)薄膜......
体硅由于是间接禁带半导体，因而其发光性能很差。但是当硅晶体的尺寸降为纳米尺寸时，带来了新的光学特性。自从在硅纳米晶镶嵌二氧化......
该博士论文所研究的富硅氧化硅包括两种材料:含非晶硅(a-Si)的氢化非晶氧化硅(a-SiO:H)和含纳米硅(nc-Si)的SiO(NCSO),它们的共同......
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)及高温退火工艺制备了富硅氧化硅(SRSO)薄膜材料。喇曼光谱仪探测表明,该材料具有较高的光致......
在 n+ -Si衬底上用磁控溅射淀积掺 Er氧化硅 (Si O2 :Er)薄膜和掺 Er富硅氧化硅 (Six O2 :Er,x>1 )薄膜 ,薄膜经适当温度退火后 ,......
用磁控溅射淀积掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅薄膜 ,室温下测量这四种薄膜的光致发光 (PL)谱 ,观察到......
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备含有纳米晶硅的SiO2(NCSO)和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅(a-SiOx:H)薄膜.采......
采用micro Raman散射、傅里叶变换红外吸收谱和光致发光谱研究了快速热退火及氢等离子体处理对等离子体增强化学气相沉积法 2 0 0......
利用Al/SRO/Si MOS,对富硅二氧化硅(SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究.用LPCVD法在n型Si衬底上沉积SRO材料,通过......
研究了离子注入掺铒富硅氧化硅材料的光致发光和发光强度随退火温度的变化.在实验中发现,材料在1.54 μm处的发光波形与发光强度均......
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备含有纳米晶硅的SiO2(NCSO)和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅(a-SiOx:H)薄膜.采......
用磁控溅射淀积掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅薄膜,室温下测量这四种薄膜的光致发光(PL)谱,观察到这四......
利用金属蒸气真空弧（MEVVA）离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2/Si薄膜中。卢瑟福背散射（RBS）和X-射线电子能谱仪（XPS）分析表明......
利用Al／SRO／SiMOS。对富硅二氧化硅(SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究。用LPCVD法在n型Si衬底上沉积SRO材料，通过C......
自1983年H.Ennen等报道掺铒硅(Er∶Si)的低温发光以来,人们对掺铒硅和硅化物的光致发光和电致发光性质产生了极大的兴趣,并进行了......
利用离子注入方法制备了掺Er富硅氧化硅材料,用XRD,TEM方法研究材料微观结构,并测量了样品的光致发光(PL),研究了发光强度随测量温......
在n^+ -Si衬底上用磁控溅射演积掺Er氧化硅（SiO2:Er)薄膜和掺Er富硅氧化硅（SixO2:Er,x>1)薄膜，薄膜经适当温度退火后，蒸上电极，形成发光......
利用射频磁控溅射法通过调节硅（Si）靶的溅射功率制备了不同的富硅氧化硅（SiOx,1〈x〈2）薄膜。通过高温热处理,得到了镶嵌在SiOx薄膜中......
以Ar和H2为溅射气体,采用Si和SiO2双靶活性溅射技术实现了镶嵌纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜的300℃低温生长,并分析了氢......
Er3+在石英基体材料中受激光致发光的波长大约是1540nm,这个波长是石英光纤的最小损耗窗口,因而是以石英光纤为基础的光通讯的标准......
学位
随着全光网络和光子集成技术的发展，掺铒光波导放大器（EDWA：Er Doped Waveguide Amplifier）作为较新的研究领域，正在受到越来越多科研工......
