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透射式GaAs光电阴极AlGaAs／GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线研究

来源 :光子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yuxjmail

【摘 要】

：

利用透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层的结构特点及其X射线衍射摇摆曲线分析方法,解释了AlGaAs/GaAs外延层摇摆曲线半峰宽和其衍射角角位移随外延层生长温度升高而增大的

【作 者】

：

李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 

【机 构】

：

中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室

【出 处】

：

光子学报

【发表日期】

：

2002年4期

【关键词】

：

GaAs ALGAAS X射线衍射 光电阴极 外延层 结构特点 砷化镓 镓铝砷化合物 摇摆曲线 GaAs AlGaAs X-ray Photocathode D 

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利用透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层的结构特点及其X射线衍射摇摆曲线分析方法,解释了AlGaAs/GaAs外延层摇摆曲线半峰宽和其衍射角角位移随外延层生长温度升高而增大的现象.

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