镓铝砷化合物相关论文
应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器,室温单面连续输出光功率超过500mW,激射波长为820.3nm,并讨论了注......
本文介绍了倒易点及其倒易点二维图的概念、倒易点形状及其倒易点二维图同晶格形变的关系,推导了热应力作用下双层膜发生弯曲的理......
本文报导了高铝GaAlAs及其多层结构的生长特性.X光双晶衍射结果表明,多层GaAlAs叠层材料的X光双晶衍射峰呈现多级卫星峰,这表明材......
研究双垫垒ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构与时间有关的交谱电场的作用下电子接共振隧穿的几率和隧穿电流密度。采用转移矩阵方法给出电子在不同空间位置的波......
本文我们首次建立了δ掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的二维量子模型，这种模型考虑了ＨＥＭＴ器件沟道中二维电子气的量子特性，根据这个模型，我们应用......
我们利用光调制反光谱研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱，观察到了电子的１１Ｈ及１１Ｌ跃近，通过改变表面垒的厚度，使得真空垒对阱中民影响发生变化，由于量子阱中电子......
本文应用讷经多重晶多次反射Ｘ射线衍射（Ｈｉｇｈ－Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ－Ｃｒｙｓｔａｌ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ－Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｄｉｆｆｒａｃｔｏｍｅｔｅｒ，ＨＲＭＣＭＲＤ）研究了粘接后的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ玻璃结构。利用倒易空间衍射图的方法评价粘接后的晶体质量，给出了倒易空......
从固态组分控制方面，对ＡｌＧａＡｓ的常压金属有机物气相外延（ＡＰ－ＭＯＶＰＥ）生长技术进行了研究。首先，在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下，经理论推导，给......
本文介绍了AlGaAs/GaAs外延层生长的应变状况的生长温度控制模型,并根据AlGaAs/GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线的分析从实验上验证了......
研究了AlGaAs窗层中Al组份的X射线衍射分析原理和计算方法,并给出了实例....
本文介绍了摇摆曲线和倒易点二维图在评价晶格完整性时的特点,分析了透射式GaAs光电阴极样品AlGaAs/GaAs外延层的倒易点二维图,获......
本文研究了半绝缘ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ多量子阱的电光效应和光折变效应。用光调制反射谱分析了样品的结构，用电调制透射谱测量了电吸收和电折变；用二波混......
利用电共沉积技术,在简单盐和带有络合剂的盐酸溶液中,制备了AlxGa1-xAs三元化合物薄膜.用能谱分析仪测量了薄膜成分,分析结果表明......
报道一种新型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ单片集成激光发射机。这种器件利用液相外延生长中的伴生高阻层，解决了半导体激光器与场效 晶体管驱动电路的工艺共容......
本文建立了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ的二维量子模型，这个模型是基于在ＧａＡｓ沟道中用自洽求解薛定谔方程和泊松方程．用二维数值模拟得到了ＨＥＭＴ沟道中横向电场和纵向电场......
