【摘 要】
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用化学法制备了(1-xmol％)BaTiO3-xmol％(Bi0.5Na0.5)TiO3(BBNTx,x=1,2,3,4,5)高温无铅正温度系数电阻(positive temperature coefficient of resistivity,PTCR)陶瓷.XRD表明所有的BBNTx陶瓷形成了单相的ABO3四方钙钛矿结构.电阻温度特性表明空气中烧结的所有BBNTx陶瓷都能够半导化,具有明显的PTC特性.其中0.2 mol％Y掺杂BBNT1陶瓷,室温电阻率大约为500 Ω·cm,电阻突跳比(最大电阻/最
【机 构】
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铜仁学院材料与化学工程学院,铜仁554300
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用化学法制备了(1-xmol％)BaTiO3-xmol％(Bi0.5Na0.5)TiO3(BBNTx,x=1,2,3,4,5)高温无铅正温度系数电阻(positive temperature coefficient of resistivity,PTCR)陶瓷.XRD表明所有的BBNTx陶瓷形成了单相的ABO3四方钙钛矿结构.电阻温度特性表明空气中烧结的所有BBNTx陶瓷都能够半导化,具有明显的PTC特性.其中0.2 mol％Y掺杂BBNT1陶瓷,室温电阻率大约为500 Ω·cm,电阻突跳比(最大电阻/最小电阻)在2.7个数量级左右,电阻突变温度约130℃.材料的电阻突变温度会随着BNT的增加而略有增加.但BNT的增加会导致室温电阻率明显增大,并且PTC效应也会降低.BBNT5陶瓷的电阻突变温度能够增加到145 ℃左右,但室温电阻率超过105 Ω·cm,电阻突跳只有1个数量级.
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