用正电子湮没方法鉴别InP半导体中的缺陷

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本文测量了各种InP样品中的正电子寿命谱,用正电子凤率连发布测量分析正电子寿命谱,肯定了在n型和半绝缘型InP中有In空位VIn和P空平Vp,而在p型InP中只观察到In空位VIn。
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