论文部分内容阅读
基态施主能级分裂因素被引入了SiC基MOS电容模型。考虑到能级分裂后，电容C—V特性曲线平带附近的Kink效应，得到有效减弱；并且能级分裂对C—V特性的影响，随掺杂浓度的增加和温度的降低而增强，同时也与杂质能级深度相关。对于耗尽区和弱积累区，由于能级分裂的影响，电容的表面电荷面密度将分别有所增加和降低。