InAlAs/InGaAs/InP HEMT欧姆接触研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jdalian1417

【摘要】

：

应用Au/Ge/Ni系金属在InAlAs/InGaAs/InP HEMT上成功制作了良好的合金欧姆接触。采用WN和Ti双扩散阻挡层工艺优化欧姆接触,在样品上获得了最低9.01×10-8Ω.cm2的比接触

【作者】

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康耀辉林罡李拂晓

【机构】

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南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京,210016

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2008年1期

【关键词】

：

磷化铟欧姆接触温度稳定性 InP ohmic contact thermal stability

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应用Au/Ge/Ni系金属在InAlAs/InGaAs/InP HEMT上成功制作了良好的合金欧姆接触。采用WN和Ti双扩散阻挡层工艺优化欧姆接触,在样品上获得了最低9.01×10-8Ω.cm2的比接触电阻,对应的欧姆接触电阻为0.029Ω.mm。同时,在模拟后续工艺环境的20min250°C热处理后,器件的欧姆接触性能无显著变化,表明其具有一定的温度稳定性。

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