通过NO、N2O对Ge衬底进行表面钝化，然后采用反应磁控共溅射方法制备HfTiN薄膜，并利用湿N2气氛退火，将HfTiN转化为HfTiON高k栅介质。研......

在N2/O2气氛中,使用Ti、Hf靶共反应溅射在衬底Si上淀积一种新型栅介质材料HfTiON,随后分别在N2气氛中600°C和800°C退火2......

通过NO、N2O对Ge衬底进行表面钝化，生长GeOxNy界面层，然后采用反应磁控共溅射方法制备HfTiN薄膜，并利用湿N2气氛退火，将HfTiN转化为HfT......